Section A
Q1.
(a)
खुला पाश अंतरण फलन G(s)H(s) = racK(s-3)(s-5)(s + 1)(s + 2) के लिए मूल विन्दु के लिए अधिविच्छेद (ब्रेक-अवे) एवं विच्छेद (ब्रेक-इन) बिन्दुओं, यदि कोई है, को ज्ञात कीजिए । साथ ही स्पष्ट कीजिए कि क्या इन विन्दुओं पर लब्धि अधिकतम अथवा न्यूनतम है ।
For the open-loop transfer function G(s)H(s) = racK(s-3)(s-5)(s + 1)(s + 2) find out the break-away and break-in points, if any, for the root locus. Also specify whether the gain is maximum or minimum at these points.
(b)
5000 Hz की अधिकतम आवृत्ति वाले पट्टी सीमित अनुरूप सिग्नल को डेल्टा माडुलन तंत्र को समायोजित करने के लिए डिजाइन किया गया है। नमूना दर नाइक्विस्ट दर का पांच गुना है। इस तंत्र पर एक सिग्नल x(t) = sin(2000 pi t) लगाया जाता है। निर्धारण करें:
(i) प्रवणता अतिभारित व्यावर्तन के बिना सिग्नल को संसाधित करने के लिए न्यूनतम आवश्यक पैंडी-आमाप (ii) तंत्र का अधिकतम सिग्नल-से-क्वान्टीकृत शोर अनुपात.
A delta modulation system is designed to accommodate a bandlimited analog signal with maximum frequency of 5000 Hz. The sampling rate is five times the Nyquist rate. A signal x(t) = sin(2000pi t) is applied to this system. Determine:
(i) the minimum step size required to process the signal without slope overload distortion and
(ii) maximum signal-to-quantization noise ratio of the system.
(c) (i) उन दो मार्गों का वर्णन करें जिनके अंतर्गत 8085 माइक्रोप्रोसेसर में अंतरायन आर. एस. टी. 5 को अशक्त किया जा सकता है। (ii) 8085 माइक्रोप्रोसेसर के लिए 8k-बाइटों को डिजाइन करने के लिए आवश्यक स्मृति चिपों की संख्या की गणना कीजिए। चिप क्षमता 1024×1 है। (i) Describe the two ways in which the interrupt RST 7. 5 in 8085 micro-processor can be disabled. (ii) Calculate the number of memory chips needed to design 8k-bytes memory for an 8085 microprocessor. The memory chip size is 1024×1.
(d)
(i) अल्प प्रतिरोधों को प्राय: चार-टर्मिनल प्रतिरोधों की भांति ही क्यों निर्मित किया जाता है ?
(ii) प्रत्यक्ष विक्षेप विधि का उपयोग करके विद्युतरोधी सामग्री की पृष्ठ प्रतिरोधकता कैसे मापी जा सकती है ?
(i) Why low resistances are usually constructed as four-terminal resistances?
(ii) How can surface resistivity of insulating material be measured using direct deflection method?
